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SiC半导体材料及其器件应用

【中国电力论文】摘要 分析了SiC材料的结构类型和基本特性,介绍了SiC单晶材料的生长技术及器件工艺技术,简要讨论了SiC器件的主要应用领域和优势。关键词 SiC单晶材料 工艺 高温半导体器件 短波长发光器件
Techniques of SiCSemiconductor Materials and
Devices
Abstract The structure types and properies
ofSiCare analyzed.The processes for SiCcrystal growth and device fabrication are
presented.Main application fields are dis-cussed. Keywords SiCcrystalmaterials Process High-temperature
semiconductor devices  Short-wavelength light-emitting
devices1 引 言 随着微电子技术的发展,传统的Si和GaAs半导体材料由于本身结构和特性的原因,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不足和局限性,一系列新型的半导体材料如SiC、金刚石等越来越引起人们的重视。其中SiC材料以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性,成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电集成器件的理想材料,在微电子、光电子等领域起到了独特的作用,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。 近年来,SiC材料制备及加工技术取得了迅速的发展。已研制成功了直径50mm的单晶抛光片,不同衬底的单晶薄膜外延技术也已突破,SiC材料的控制掺杂、金属化、图形刻蚀、氧化等技术也逐步成熟。采用SiC材料已实现了可在500℃以上工作的高温半导体器件、商业化的蓝光发光器件、汽车和飞机发动机监控用的紫外光敏器件等,SiC高频和微波器件、抗核加固器件的研究正受到广泛的重视。这些都对S
 
 
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