|
|
|
|
10A/500V MCT器件的研制
|
|
【电力工程建设论文】中南林学院电子信息工程学院张发生西安理工大学自动化学院陈治明摘 要：本文叙述了新型功率器件MCT（MOS控制晶闸管）的结构设计、工艺流程及实施方法。西安微
电子研究所采用扩散、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术制成MCT样品。测试结果表明，其在20V的栅压下能在4
s内关断50A/cm2的阴极电流。
关键词：MCT ；设计 ；试制引言
近年来，随着微电子技术的不断进步和市场需求的日益增长，电力电子技术领域有了很大的发展，其重要标志就是研究开发了各种新型的功率器件，如功率MOSFET、SIT、SITH、IGBT和MCT等，其中MCT是目前受同行专家十分看好的一种功率半导体器件。 MCT是MOS控制晶闸管（MOS-Controlled
Thyristor）的简称，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的开通与关断。MCT既具有晶闸管良好的阻断和通态特性，又具备MOS场效应管输入阻抗高、驱动功率低和开关速度快的优点，同时它还克服了晶闸管速度慢、不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的缺点。这就是MCT为什么被认为是目前众多的新型功率器件中很有发展前途的器件的原因。
MCT器件自上世纪八十年代末期产生，到现在不过十余年，然而MCT在国外（尤其是美国、德国和瑞士等）已经发展到了很高水平。MCT器件的最大可关断电流已经达到了300A，最高阻断电压为3000V，可关断电流密度为325A/cm2，且已试制出由12个MCT并联组成的模块。MCT的应用也达到了相当高的水平，如美国西屋公司报道了他们采用MCT开发10kW高频串并联谐振DC-DC变流器的研究情况，已得到了令人瞩目的功率密度（6.1W/cm3）和高可靠的运行。据报道，美国正计划采用MCT组成功率变流设备，建设高达500kV的高压直流输电HVDC设备。它的应用正在全面展开，实用化为期不远。
国内在研制、生产和应用MCT器件方面的水平
|
|
|
|
<<<<<全文未完>>>>> 全文字数约2263字
|
要阅读全文请先注册成VIP会员！详情请阅读会员专区！
VIP会员可以阅读全文， 欢迎加入VIP会员专区！ 加入VIP会员步骤如下：
注册用户名→在线购卡
|
|
|
|
广告服务