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    指标
    数值
    指标
    数值
    K+(mg/L)
    2.51
    HCO3-(mg/L)
    127.31
    Na+(mg/L)
    19.14
    Cl-(mg/L)
    23.1
    Ca2+(mg/L)
    37.5
    F-(mg/L)
    0.55
    Mg2+(mg/L)
    15.50
VLSI超纯水站设计
   摘要：
   介绍了清华大学微电子所VLSI超纯水站工艺设计思想及设备选型，并阐明了对关键设备选型及材质的技术要求。
   关键字：
   超纯水站 设计 工艺 设备选型
   

　　清华大学微电子所超纯水站产水用于超大规模集成电路(VLSI)的清洗工艺，其产水量为10m3/h(24 h运行)。超纯水站原水温度≥13 ℃，压力为0.2～0.5 MPa，原水水质见表1，产水水质(超滤出口)见表2。
   


    表1　原水水质
   
 
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