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拓扑绝缘体中的拓扑相和拓扑量子相变的研究 |
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| 论文目录 |
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| 摘要 | 第4-6页 | | Abstract | 第6-8页 | | 目录 | 第9-11页 | | 第一章 绪论 | 第11-42页 | | 第一节 引言 | 第11-12页 | | 第二节 整数量子霍尔效应 | 第12-18页 | | 2.1 Laughlin规范理论 | 第14-16页 | | 2.2 TKNN不变量 | 第16-18页 | | 第三节 量子反常霍尔效应 | 第18-20页 | | 第四节 量子自旋霍尔效应 | 第20-30页 | | 4.1 Kane-Mele模型和HgTe/CdTe量子阱 | 第21-24页 | | 4.2 Z_2拓扑数和自旋陈数 | 第24-29页 | | 4.3 时间反演对称破缺的量子自旋霍尔效应 | 第29-30页 | | 第五节 边缘态与体-边缘对应 | 第30-32页 | | 第六节 本文研究目的和意义 | 第32-34页 | | 参考文献 | 第34-42页 | | 第二章 拓扑绝缘体中边缘态的出现和消失 | 第42-65页 | | 第一节 引言 | 第42-43页 | | 第二节 三维拓扑绝缘体 | 第43-51页 | | 2.1 Bi_2Se_3家族拓扑绝缘体 | 第44-49页 | | 2.2 三维拓扑绝缘体薄膜 | 第49-51页 | | 第三节 理论模型和计算 | 第51-55页 | | 第四节 拓扑绝缘体薄膜中的拓扑量子相变 | 第55-56页 | | 第五节 晶格模型和边缘态 | 第56-58页 | | 第六节 本章小结 | 第58-60页 | | 参考文献 | 第60-65页 | | 第三章 二维自旋轨道耦合系统在交错磁通下的拓扑量子相变 | 第65-85页 | | 第一节 引言 | 第65-66页 | | 第二节 理论模型和计算 | 第66-69页 | | 第三节 量子自旋霍尔系统在交错磁通下的拓扑量子相变 | 第69-74页 | | 3.1 时间反演对称的拓扑量子相变 | 第71-72页 | | 3.2 时间反演对称破缺的拓扑量子相变 | 第72-74页 | | 第四节 系统边缘态的性质 | 第74-79页 | | 第五节 本章小结 | 第79-81页 | | 参考文献 | 第81-85页 | | 第四章 总结与展望 | 第85-88页 | | 第一节 总结 | 第85-86页 | | 第二节 展望 | 第86-87页 | | 参考文献 | 第87-88页 | | 博士期间发表的论文 | 第88-89页 | | 致谢 | 第89-91页 |
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论文编号BS3777551，这篇论文共91页
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